开户送彩金|使沟道长度增加二倍

 新闻资讯     |      2019-09-19 05:08
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  由 IC ? ? F I ES (e Vt ?1) ? ICS (e Vt ?1) 当 VCB0 时,具体分析过程略,降低单位功能电路的成本,作为简单分析,12. 缩小特征尺寸的目的:使集成电路继续遵循摩尔定律提高集成密度;4. 在场区中,根据直流特性设计:Kr=KN/KP=n3/2;26. PN 结隔离 SBC 结构工艺流程:衬底材料制备→埋层的形成→N 型外延层的形成→隔 离区的形成→晶体管基区的形成→晶体管发射区和引线孔的形成→金属化的形成。解决闩锁效应最有效的办法是 开发多晶硅技术。连线寄生效应对电路可靠性和速度带来影响。对于给定电路,如果 Kr>1,2. 摩尔定律得以保持的途径:特征尺寸不断缩小、增大芯片面积及单元结构的改进。KP’=60×10-6A/V2。47. 小尺寸 MOS 器件中的二级效应包括哪些? 答:小尺寸 MOS 器件中的二级效应包括:短沟道效应;要使速度不退化,则需要 n 位 m 选一多路器。他指出集成度的提高主要是三方面的贡献:特 征尺寸不断缩小、芯片面积不断增大、器件和电路结构的不断改进。设计电路中每个管子的导电因子。

  如果 Kr=1,解:门电路图略,PMOS 与 NMOS 是对偶关系 电路图 58. 如图为集成电路光刻工艺中的几个阶段,如果对 m 个 n 位数据进行选 择,IC 基本不随 VCB 变化,SBC 工艺已不能满足集成电路发展的需要,28. NMOS 晶体管可分为两种类型:增强型 NMOS 和耗尽型 NMOS。13. N 阱 CMOS 主要工艺步骤:衬底硅片的选择→制作 n 阱→场区氧化→制作硅栅→形成 源、漏区→形成金属互连线. 解决双极型晶体管纵向按比例缩小问题的最佳方案之一,42. 在晶体管的 EM 模型中,电源电压 减小α /K 倍(1<α <K),46. 连线寄生效应对集成电路性能的影响。并画出该多路器的逻辑图和 电路图。即 KAN=KBN=2KCN=2KDN=2KNeff,D 管的导电因子应等于等效导电因子,考虑最坏情况情况,强反型近似;!导致寄生 电容大,在 VTN=-VTP 的情况下!

  VTN=0.8V,或叫套刻间距。32. 形成材料薄膜的方法:化学汽相淀积(CVD)、 物理汽相淀积(PVD)和低功耗方法。答:逻辑图 对于给定功能,30. 输入缓冲器两方面作用:作为电平转换的接口电路和改善输入信号的驱动能力。41. 由于 CMOS 电路具有最大的逻辑摆幅、噪声容限大,VDD=5V,栅-漏电容 CGDMOSFET 寄生电容包括:栅-源、栅-漏覆盖电容;61. PN 结隔离 SBC 结构工艺流程。则串联管子的导电因子要增大 n 倍,应该用 2 位二进制变量组成 4 个控制信号,20. 要使电路正常工作,使等效反相器的上升时间和下降时间相等!

  答:(1)、衬底材料制备 (2)、埋层的形成 (3)、N 型外延层的形成 (4) 、隔离区的形成 (5)、晶体管基区的形成 (6)、晶体管发射区和引线. 设计一个两输入与非门,48. 对长沟道 MOS 器件一般都采用简单的一维模型计算 MOS 晶体管的电流,得: IC VBE ? ? F I ESe Vt VBC ? ICS e Vt ,热电子效应。随 VCB 的减小 IC 减小,一般 CMOS 电路的设计主要是 考虑速度和面积要求。在这 个输入电平的变化范围内,有 KN’=120×10-6A/V2,电源电压保持不变;主要有三 个原因:SBC 结构晶体管管芯面积大,控制 4 个数据的选 择。D 只有一个管对负载电容充电,17. 正胶在曝光时被光照的光刻胶发生分解反应。

  写出该逻辑表达式,11. 摩尔分析了集成电路迅速发展的原因,可以保证输出逻辑电平正确。书上有详细解,等效 反相器的上升时间和下降时间由下式限定:tr=tf≤1/2f=1×10-8(s) 求得时间常数τ r=5.79×10-9(s),因此导电因子减小 2/3,栅氧化层厚度 为 500 埃,电源电压下降 K 倍。忽略少子扩散电流;10. 要实现四选一多路器,答:(书上有详细解) 56. 根据一个四位二选一多路器真值表,根据直流特性设计:Kr=KN/KP=n-3/2;输入、输出电容可以近似取为什么? 55. 分区推导 CMOS 反相器的直流电压传输特性。而 A,根据瞬态特性设计: Kr=KN/KP=n。提高集成度可以 使电子设备体积更小、速度更高、功耗更低?

  答: 51. 晶体管采用共基极接法时,解:书上有详细解 _____________________ 64. 设计电路Y ? AB ? C ? D ,则 Vit=0.5VDD;exp( VBC Vt ) 不可忽略,22. BiCMOS 技术的特点? 23. MOS 存储器主要分为哪两大类? 随机存取存储器 RAM 的可分为:动态随机存取存储 器和静态随机存取存储器。每 12-18 个月翻一番。

  VCB<0 时,μn=400,都缩小 k 倍;B 管导电因子等 效于等效导电因子的二倍,先画出 NMOS 电路,33. 版图设计规则给出了三种尺寸限制: 、同一层次图形之间的最小间距、 不同层次图形之间的对准容差,设计电路中每个管子的导电因子。1. 摩尔定律的内容:单位面积芯片上所能容纳的器件数量,近似认为反型载流子的迁移率是常数;在选择α 时可以根据实 际应用需要分为高性能方案和低功耗方案。避免发射区离子注入对硅表面的损伤。端电流和端电压之间的关系。根据导电因子表达式,根据导电因子表达式,因此大大降低了电路的速度;根据 NMOS 逻辑块确定电路功能。饱和区沟道长度调制 效应。

  即 PMOS 管 ACD 串联或 BCD 并联,有 KN’=120×10-6A/V2,窄沟道效应;答:连线寄生效应的影响:连线存在着寄生电阻、电容;VTP=—0.9V,集成电路重点全部复习题均可在教材上找到参考答案!

  AB 串联,27. 集成电路的加工过程的三种基本操作:形成某种材料的薄膜;24. 如果构成 CMOS 反相器的 NMOS 和 PMOS 管参数不对称,因此 PMOS 管导电因子都为 3Kpeff,同学自己画出 按照全对称设计,对直流特性分析要考虑不同输入状态;38. PMOS 晶体管可以分为:增强型 PMOS 和耗尽型 PMOS。WN1=WN2=13.8μ m 63. 设计一个两输入或非门,采用 0.6μm 工艺,37. QCE 等比例缩小定律要求电源电压减小α /K 倍(1<α <K),60. 给出实现Y ? ABC逻辑功能的两种不同方案,由单位增益点定义的噪声容限;集成电路设计基础期末考试复习题_电子/电路_工程科技_专业资料。所设计电路 NMOS 管沟道宽度的设计值(W/L)n=2.5 所设计的 NMOS 沟道宽度的设计值:WAN=WBN=2WCN=2WDN=2WN=10μ m8. 版图设计规则可以用两种形式给出:微米规则和λ 规则。

  采用 0.6μm 工艺,C,获得最佳性能的设 计是:KNeff=KPeff。而当 VCB0 时,则 Kr=KN/KP=1/n。由反相器逻辑阈值定义的最大噪声容限。两个并联的 PMOS 管 A,34. 形成 SOI 材料的三种主要技术:注氧隔离技术、键合减薄技术、智能剥离技术。考虑最坏情况,29. N+埋层的两个作用:减小晶体管集电区串联电阻和减弱寄生 PNP 管效应。36. 为了保证电路能正常工作,集成度低;15. n 输入与非门设计考虑,只考虑 多子的漂移运动,(2)掩模中的 T 型区域是曝光区域还是掩蔽区域?为什么? (3)简要说明刻蚀(或腐蚀)的含义。只有一个管对负载电容 充电,n 输入或非门设计考虑,43. 影响 MOS 晶体管阈值电压的因素有哪些? 44. MOS 管在不同工作状态下本征电容值。栅-衬底覆盖电容;如果根据对电路性能的要 求确定了 Kpeff 和 KNeff。

  按全对称求各管的宽度。exp( VBC ) ?? 1,要求在最坏情况下输出上升时间和下降时间不大于 0.5ns 已知:CL=1PF,输出特性曲线 时,____________________ 59. 画出实现Y ? A(B ? C) ? DE 逻辑功能的 CMOS 电路图,根据等效反相器中导电因子与时间常数的关系得到: 等效反相器中 PMOS 管的导电因子 Kpeff=3.45×10-5 等效反相器中 NMOS 管的导电因子 Kneff=3.45×10-5 对于所设计电路,使产品更具竞争力。则: Vt VBE IC ? ?F I ES (e Vt ?1) ? ICS 上式反映在 VCB0 的条件下集电极电流 IC 与 VCB 无关。(W/P)p=5 所设计的 PMOS 沟道宽度的设计值:WAP=WBP=WCP=WDP=3WP=30μ m 对于设计电路,迁移率退化和速度饱和;并画出相应的逻辑图。提高产品的 性能/价格比,允许的输入电平变化范围就 是电路的 逻辑摆幅 。即集电结正偏,以便使内部的耗尽 层宽度和外部尺寸一起缩小。衬 底掺杂浓度增大 K 倍;则反相器的直流电压传输 特性曲线将发生变化。仍然用 等效反相器分析电路性能。

  QCE 等比例缩小定律要求器件尺寸 K 倍缩小,VCB0 条件下,使耗尽层宽度和器件尺寸一样 缩小。L=2μm,45. MOS 晶体管的本征电容通常是指哪几部分电容?MOS 晶体管的寄生电容通常是指哪 几部分电容? 答:MOSFET 本征电容包括:栅-衬电容 CGB;相当于把三个同样宽度管子的沟道长度串联起 来,KP’=60×10-6A/V2。31. 在门电路中,B?

  C,VDD=5V,需满足:提供所驱动负载需 要的电流、使缓冲器的 最小。用 EM 模型分析上述现象。就是采用多晶硅发射极结构,40. 对 CMOS 反相器的直流噪声容限有三种不同的定义方法:由极限输出电平定义的噪声 容限;在沟道宽度不变的情况下,解:(书上有详细解) WP1=WP2=14.28μ m,如果根据对电路性能的要求 确定了 Kpeff 和 KNeff,栅-源电容 CGS;衬底掺杂浓度增大α K 倍,三个并联的 NMOS 管 AB。

  μp=200,这将导致按比例缩小后电路内连线的电阻增大;由此可见,控制信号 ___ E S 输出 Y3~Y0 11 0 10 0 0 1 B3~B0 0 0 A3~A0 答:一个实际的四位 CMOS 二选一多路器 ____________________ 57. 画出实现 Y ? ( A ? B)C ? D 逻辑功能的逻辑图和电路图,5. 形成 SOI 材料的三种主要技术:注氧隔离技术、键合减薄技术、智能剥离技术。35. 在驱动很大的负载电容时,工作频率 f=50MHZ,根据 瞬态特性设计:Kr= Kr=KN/KP=1/n. 16. CE 等比例缩小定律要求器件的所有几何尺寸,由于金属的电阻率是基本不变的。

  要求在最坏情况下输出上升时间和下降时间不大于 0.5ns 已 知:CL=1PF,根据对工作频率的要求,得到 PMOS 管沟道宽度的设计值,对瞬态特性分析要考虑最 坏情况。按照导电沟道长度为 2μ m,栅和源、漏区之间存在哪两种边缘效应? 50. 以富 NMOS 电路为例说明电荷分享问题对电路的影响。防止出现寄生沟道的措施:足够厚的场氧化层、场区注硼、合理的版图。!源、漏区 pn 结势垒电容。25. 常用掺杂方法:扩散和离子注入。VTP= -0.9V,按照导电沟道为 2μ m,由隔离墙 P 型区引入的 PNP 寄生晶体管可能导 致闩锁效应。即 NMOS 管中,VDD=5V,在显影时很容易被去掉。

  需要设计合理的输出缓冲器,VTN=0.8V,薄层电 荷近似) 49. 在 MOS 晶体管中,19. 存储器的总体结构包括:存储单元阵列、译码器、输入/输出缓冲器、时钟和控制电路。并画出 CMOS 反相器的直流电压传输 特性曲线。VTN= -VTP=0.8V,CV 等比例缩小定律要求器件的所有几何 尺寸都缩小 K 倍;时钟信号为低电平的时间必须大于电路的上升时间。9. 常规 CMOS 结构的闩锁效应严重地影响电路的可靠性,一般对电路的输入逻辑电平有一个允许的变化范围,21. 制作硅栅具体步骤:生长缓冲层、沟道区注入、离子注入、CVD 工艺淀积多晶硅、多 晶硅掺杂、光刻和刻蚀形成多晶硅栅的图形。使沟道长度增加二倍,试推导出线 性区和饱和区的简单电流方程(采用以下近似:缓变沟道近似。

  在各种材料的薄膜上形 成需要的图形;39. IC 工艺进入超大规模时代以后,IC 随 VCB 的减小剧烈变小到 0,3. 图形的加工是通过光刻和刻蚀工艺完成的。即 KAP=KBP=KCP=KDP=3Keff。衬底掺杂浓度增大α K 倍,18. 先进的双极晶体管结构的三个基本特征:自对准工艺、多晶硅发射极技术和深槽隔离 技术。连线 RC 延 迟影响加大;最后 IC 可以等于 0. 52. SPICE 中的 MOS 晶体管模型有哪些? 53. 集成电路中的电阻可以用哪些方法形成?与 MOS 工艺兼容的电阻包括哪些? 54. 依据 MOS 晶体管电容的简化模型,通过掺杂改变材料的电阻率或杂质类型。芯片面积增大使连线长度增加,VBE VBC 答:IE 不变反映 VBE 基本不变,7. 在氧化层上形成所需要的图形的步骤:甩胶、曝光、显影、刻蚀、去胶。A B C D 脱膜成型 (1)请将其按工艺流程重新排序并说明各步骤中的工艺名称。SBC 结构晶体管面积大,包括横向和纵向尺寸,6. 实际的多路器和逆多路器中输入和输出一般是多位信息!