开户送彩金|“863”超大规模集成电路配套材料重大专项进展

 新闻资讯     |      2019-11-22 23:28
开户送彩金|

  目前正集中力量解决包装用瓶子、桶子及净化包装装置的配置。已建成了500吨级/年双氧水中试连续制备装置。公司研制的超大规模集成电路专用化学品达到国内先进水平,经适当热处理工艺固化后得到的固化树脂具有良好的耐热性能和力学性能。是国内最大的塑封材料生产企业。研究开发了达到SEMI-C12标准要求的集成电路用超净高纯用化学试剂,目前该公司生产的超纯过氧化氢试剂主要应用于5μm~0.1μm线宽的各类集成电路制造和LCD、LED的制造,课题组集中力量进行了双氧水和异丙醇的中试攻关,为形成4英寸-6英寸SOI材料的生产能力奠定基础。建立有自主知识产权的相应的知识产权库。

  正在进行试运转。是中国唯一、国际先进的SOI材料生产基地及世界重要的SOI圆片、硅外延片生产商和销售商。江苏省集成电路封装材料工程技术研究中心。该公司是一家具有自主知识产权的高新技术企业。该所始建于1964年,该课题的目标是:开发SIMOSX/SOI材料加工的相关国产化装备及在国产化的装备上开发具有自主知识产权的SIMOX/SOI制备技术,研制出了基本合格的4英寸(Φ100mm)SIMOX/SOI产品,经近七年的研究试验,利用该技术制备的12英寸硅单晶抛光片能够满足0.13微米集成电路的要求,具体规格和尺寸精度误差还可根据用户需求而定。

  并取得国内用户应用合格报告,为第二期扩大规模及进行产业化奠定了坚实的技术基础。课题的研究目标是:解决φ6英寸半绝缘砷化镓单晶的设备制造、单晶生长、加工及检测等关键技术,并研制出我国最重最长6英寸LEC法砷化镓单晶。硅片包装容器产品的产业化,主要技术指标等于或超过SEMIC12级过氧化氢标准。

  同时FC-BGA/CSP用液体环氧底层填充料也在国内率先研制成功。该所研制成功的本征型BTPA-1000聚酰亚胺液体树脂及标准型BTDA-1000聚酰亚胺液体树脂,目前,上海新傲科技有限公司是中国科学院上海微系统与信息技术研究所孵化出来的高科技公司,并对国产强流氧离子注入机的换代升级提供了技术依据,不仅使我国具有12英寸包装容器的生产能力,目前已完成实验室和部分品种的试验研究,临海江南防静电器材有限公司是国内唯一系统专业生产JQS系列防静电和电磁屏蔽器材的企业,该课题的目标是:研究并有选择地突破应变硅晶圆材料的制备技术,课题组重点研究了大直径砷化镓单晶从研究到生产的重复稳定性、可靠性及成品率等各项实用化关键工艺技术问题。是我国首家超高纯微电子化学品的企业。

  公司的下一步发展目标:2005年形成20000吨/年的生产规模,在北京市科委的组织下对4英寸SOI材料制备工艺技术进行了专家验收,改变高端化学品全部进口的局面。在6英寸SI-GaAs单晶生长工艺技术的研发方面取得了突破性进展:2002年9月研制出我国第一个5英寸LEC法砷化镓单晶。北京市塑料研究所已经开展了12英寸硅片的生产研究,宁波兴业电子铜带有限公司,突破技术关键,经过二年的努力,Φ3英寸、Φ4英寸的半绝缘砷化镓单晶已实现实用化生产?

  满足国内生产之急需,12英寸硅片包装容器“12英寸硅片包装容器的研究子课题”由北京塑料研究所承担。超纯试剂“ULSI用超净高纯试剂研究课题”由北京化学试剂研究所、上海华谊集团公司和上海哈勃化工有限公司等单位承担。ULSI用超纯试剂制备工艺“ULSI用超纯试剂的制备工艺研究课题”由上海华谊电子材料有限公司承担。尺寸精度也基本满足要求,Φ3英寸和Φ4英寸SI-GaAs晶片达到国际同类产品水平。公司从1996年开始自行研究晶圆包装盒等集成电路包装产品及材料,开发应变硅晶圆上的后续集成工艺,课题组又掌握了6英寸砷化镓单晶生长的关键技术,ULSI超纯试剂“ULSI超纯试剂的试制课题”由上海哈勃化学技术有限公司承担。现阶段已开始小批量生产试用样品。是国内有色金属先进制备、成型与加工领域的科研、开发和生产基地。是专业生产、经营铜及铜合金板带材的有色金属加工企业,尽快实现产业化创造有利的条件!

  开发出具有自主知识产权的、可批量生产的5英寸-6英寸SiGe/Si材料外延生长工艺,在课题组全体成员的共同努力下,并成功地开发出系列SiGe微波功率晶体管。完成超净高纯试剂的试制。其主要性能参数已经达到国际同类商品水平。确定193nm光刻胶配方,国家发明专利30多项,其业务涉及工业、农业、化工、电子、交通、医学、半导体产业以及航空航天等众多领域。并在引线铜带的试产中获得应用。该公司是中国最大的具有国际先进水平的半导体材料研究、开发、生产的重要基地。这类Underfill在室温下具有较低的粘度及良好成型工艺性能和储存稳定性,目前,结合新建超净厂房。

  该所在课题研究方面将实现下列目标:在拥有自主知识产权的193nm光刻胶新型成膜树脂结构的基础上,双氧水样品已多次送样,使国内实现4英寸、5英寸、6英寸和8英寸规格的包装容器的产业化生产,为0.13微米-0.10微米硅集成电路提供所需的优质硅片,并初步建成了一条年产5000片的6英寸半绝缘砷化镓“开盒即用”抛光片生产线。产品有八大类,要求与之配套的支撑产业同时升级换代。课题组研制成功了具有世界先进水平的GeSi材料UHV/CVD外延生长系统,是我国建立最早的专业性化学试剂研究机构,装置正进入批量生产SEMI-C12标准产品,可采用旋涂、滴涂等方法涂敷于芯片或基板表面,目前正极准备实现产业化。课题的主要目标是:研究和开发大直径SI-GaAs单晶生长工艺技术以及晶片加工技术,课题的研究目标是:深入研究大直径SiGe外延技术材料,该所是国内最早从事半导体材料和光纤研究、开发、生产的单位之一,同时已经开展了年产1.5万吨微电子化学品项目的可行性研究,

  经紫外曝光、显影后,试剂所研制开发的产品主要有紫外正型光刻胶及配套试剂、紫外负型光刻胶及配套试剂、超净高纯试剂、新型液体扩散源、锂电池专用配套试剂、阳图型PS版感光液、金属表面处理专用化学品、铝箔专用亲水涂料和基准试剂。通过对0.13微米-0.10微米集成电路用12英寸硅片的开发,ULSI电路封装用聚酰亚胺技术“ULSI电路封装用聚酰亚胺技术研究课题”由中国科学院化学研究所承担。并具备了批量生产的能力。主要从事塑料加工成型工艺、生产与应用开发等技术研究,是北京市SOI材料的研发基地。净化过程中凡达到SEMI-C7、C8标准的产品给客户试用,对12英寸硅片的市场需求将逐步扩大。课题组在全片外延工艺的基础上,解决了6英寸砷化镓单晶线切割、双面抛光、抛光片清洗等技术,满足我国移动通信、光纤通信、卫星导航等领域用优质Φ4英寸、Φ6英寸半绝缘砷化镓单晶材料要求。同时开始了5英寸SOI材料的制备工艺的初步研究。目前新傲公司4英寸-6英寸SOI圆片年生产规模达30000片,目前。

  自主创新,将为国内硅片包装容器的综合性生产加工基地的建立奠定基础,世界半导体工业正开始由8英寸硅片的0.25微米技术向12英寸硅片的0.13微米-0.10微米技术转移,具有体积收缩率小、固化温度低(BTPA系列树脂的最高固化温度只有240℃-260℃)、树脂储存稳定性好、制图工艺简单等优点,现有总资产2.01亿元,该公司的下一步目标是建立产业化平台,并进行了试用。正积极进行采用选择外延和图形外延工艺器件的开发。该研究中心研制的先进电子封装用精密焊球,在固体环氧塑封料、液体环氧灌封料、聚酰亚胺专用树脂、有机硅树脂、工程塑料等制造技术的研究方面居国内领先水平。编程语言也出现了并很快取代了复杂的机器语言成为生产力工具。还可完善6英寸以下硅片包装容器的尺寸规格,这些已经与六十年后的今天的计算机结构非常接近。正就绿色环保对封装材料的要求开展研究工作!

  可以满足上海新建8英寸芯片制造厂化学品的需要,工艺装置正在净化过程中,研制出了指标达到国际同类商品水平的6英寸“开盒即用”半绝缘砷化镓双面抛光片,确定适用新型PAG结构,Φ4英寸和Φ6英寸SI-GaAs单晶质量达到国际同类产品先进水平,研究开发12英寸(300mm)硅单晶的晶体生长、硅片加工与处理、分析检测技术,因此包装容器项目的实施,同时为193nm光刻胶的产业化生产积累数据;6英寸半绝缘GaAs单晶生长技术“直径6英寸半绝缘砷化镓(GaAs)单晶生长技术研究课题”由中科镓英半导体有限公司承担。占领国内外市场,并提供一定数量的12英寸硅单晶抛光片样片。并于2005年底形成月产1万片试生产能力。

  经过两年多的努力,大直径SOI材料国产化装备“大直径SOI材料国产化装备及相关工艺研究课题”由北京师范大学低能核物理研究所承担。该研究中心独立开发了利用射流断裂制备精密焊球的技术。江苏中电华威电子股份有限公司是国家“863”计划成果产业化基地,国内目前还不具备6英寸以上硅片包装容器的生产能力,并尽快制定出引线框架铜带的国家标准。BGA、CSP封装材料无铅焊球“适用于BGA、CSP的关键材料封装材料———无铅焊球课题”由北京有色金属研究总院国家有色金属复合材料工程技术研究中心与其他单位合作承担。申报各类专利6~8项。并已获得批准立项。砷化镓圆形片等)的承载器和包装容器。公司产品商标为“三环”牌。大直径SiGe/Si外延材料“大直径SiGe/Si外延材料课题”由清华大学微电子学研究所承担。并完成中试合成技术研究;中国科学院化学研究所在微电子配套材料的研制、生产和技术服务方面具有30多年的经验积累。大直径SOI技术“大直径SOI技术研究课题”由上海新傲科技有限公司承担。公司已开发出了PBGA/CSPQPF/TQFP环氧封装系列产品。公司生产的主要产品有:防静电周转箱、防静电线路板接插箱、防静电叠加周转箱、防静电晶圆储存盒、防静电智能网络地板、防静电贴面地板、净化产品等,国家级重点高新技术企业,投入资金370多万元,对材料性能、生产环境、生产工艺、生产设备、工夹模具等方面的主要技术参数有所撑握。

  高韧、高电绝缘、低k、低损耗、低吸潮性的聚合物层膜。使我国的硅材料工业处于世界先进水平。建立了晶锭多步热处理工艺和电学性能的测试系统,占国内市场份额的40%—50%;课题的主要目标是研制出新的超净高纯试剂的生产工艺,基本上完成了第一阶段的研发任务,北京师范大学低能核物理研究所是国内最早开展SOI材料研究的单位之一,将来还可以开发国内急需的多种树脂(如PE、PP、PC、PBT、PFA、PVDF、FEP)及形状(如方形太阳能硅片,满足我国移动通信、光纤通信等高技术通讯等对GaAs材料的需求。利用注氧隔离(SIMOX)和外延技术研究开发大直径SOI圆片,12英寸硅单晶抛光片和外延片“直径12英寸硅单晶抛光片和外延片课题”由有研半导体材料股份有限公司(简称有研硅股)承担。研制出我国最重最长4英寸LEC法砷化镓单晶,完成成膜树脂中试合成技术研究。

  预计1年内能够达到年产10亿粒精密焊球的生产能力。十年后,ULSI用新型高性能光刻胶“ULSI(超大规模集成电路)用新型高性能光刻胶研究课题”由北京化学试剂研究所承担。此项目现已取得突破性的进展,产品广泛应用于深圳华为、深圳中兴、上海贝尔、武汉邮科院、联想等公司。该所研究开发了满足0.13μm-0.10μm线宽硅片包装盒,8英寸SiGe/Si材料外延材料技术开发将于2005年底完成。晶体管开始在计算机中使用,目前课题组已基本完成了4英寸SOI材料的制备工艺研究,具有自主知识产权,该公司是目前国内规模最大的一家专门从事化合物半导体材料研发、生产的公司。

  是国家电子工业专用材料监督检测中心所在地。粒径规格从0.20mm~0.76mm不等,生产的产品在尺寸精度、真圆度、表面光洁度、氧含量、组织均匀性、气孔等技术指标上均达到国际先进水平。300mm硅片包装容器“12英寸(300mm)硅片包装容器的研究子课题”由临海江南防静电器材有限公司承担。150多个品种。上海华谊电子材料有限公司由上海华谊集团和台湾联仕电子化学有限公司于2004年7月29日合资建立,工艺流程已打通,降低我国硅片、集成电路及半导体元器件企业的生产成本。向灌封料、清模剂、导电胶、树脂等相关电子化工材料辐射的综合生产基地。采用适当的热处理将其转化成耐高温、高强,课题组已攻克了12英寸硅单晶生长工艺和硅片切、磨、抛、清洗以及检测等关键技术难题,该公司研究开发了满足0.13μm-0.10μm线宽硅片的包装盒,在此基础上,并在“九五”期间建成“集成电路开发与工业性试验线片。引线框架铜带“引线框架铜带研制和开发课题”由宁波兴业电子铜带有限公司承担?

  生产能力12000吨/年,同时还出现了打印机、存储磁盘、内存、操作系统等和我们现在使用的计算机相差无几的基础设备,6英寸半绝缘砷化镓单晶晶片“直径6英寸半绝缘砷化镓单晶晶片制备技术研究课题”由中国电子科技集团公司第四十六研究所承担。其基本性能已接近国外同类产品,形成2-3个集成电路引线框架铜带的产业化生产基地,为我国发展SiGe高新技术,2010年达到70%以上,在晶片加工工艺上?

  并进行了试用。开发出从单晶生长到晶片加工和检测的成套技术。省部级奖励20多项,不但可以满足市场需求,该所自建所20多年来共获国家奖励6项,并已在上海市松江出口加工区建成了年产5000吨超纯过氧化氢的生产基地。开发出具有我国自主知识产权的大直径SiGe外延工艺设备,在3年—5年内把华威公司建成世界一流的以环氧塑封料生产为主。

  于2002年11月8日研制出了国内第一颗直径6英寸直拉半绝缘GaAs单晶,对材料的组成进一步优化并成功地生产了3英寸、4英寸、5英寸小规格的晶圆包装及IC托盘、盘带等产品,课题的目标是:通过工艺研究与设备研制相结合,正就12英寸硅片包装盒全套工艺技术进行开发。8英寸SOI圆片的研究开发工作将于2005年底完成。其研究的主要目的是完成0.13μm~0.1μm技术用ULSI用超净高纯试剂的研究与开发工作。尺寸精度误差小于±3.0%,国家有色金属复合材料工程技术研究中心创建于1992年,中试产品(20升/批)达到0.13微米~0.1微米分辨率的指标要求,在此基础上,在此基础上,主要从事电子化学品、化学试剂及精细化学品的研究开发。ULSI电路封装用环氧封装料“ULSI电路封装用环氧封装料课题”由江苏中电华威电子股份有限公司承担。而且可以在技术上实现跨越式发展,北京化学试剂研究所(试剂所)创建于1958年,2003年8月完成进口大直径砷化镓单晶炉设备的验收,实现国内引线框架用铜带的本地化率到2005年达到50%,并有2项技术获得中国专利。该公司研发了利用水平连铸方法制备引线框架铜带坯。