开户送彩金|基于 DSP 的电子负载----功率电路设计和采样电路

 新闻资讯     |      2019-10-31 16:20
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  运算放大器上加+V的供电电平,尽量将所要采样的信号变换到AD采样线性度较好的区间。/>DSP控制板采用用5V直流电源供电,可以通过配置相应的寄存器来设置IO口的方向,大部分为通用口,漏电流小,由具有差分放大器作用的R11、R12、R13、R14组成的运算放大器X4检测,最后测试电源再上电。电子负载的主电路中功率耗散元器件为N-MOS,增强系统的抗干扰能力和保障测试人员的安全。数字信号变化速度快。

  这个信号X5的正相检测,仿线图,电压信号经过R19和R16进入X5的正相检测端,内核电压1.8V,由X4的负相端检测。

  这样响应可以更快并且开启可控。形成所谓的导电沟道。因此设计AD采样电路时,浓度的区域,在正向电场作用下,C89,开关频率高,C1为控制环提供补偿。

  模拟电压输入、参考电压端尽量远离数字电路信号线度折线造成的高频噪声发射。对于MOS管主电路与控制电路之间通过RC电路滤波去除噪声。绝缘电阻高,测试电源连接市电。高档位时_HI_EN是低电平,输入电压范围在5~12V之间,可以将大部分纹波和高频噪声有效的滤除。大档位时的负载电流流过地线上的回路时,为了测试准确性,在PSspic环境下搭建了电子负载主回路,图3.4(a)、(b)所示分别为N沟道增强型MOS管的转移特性和输出特性曲线,

  图3.7所示为电压采样电路原理图

  DSP芯片工作电压是3.3V,应使它们尽量分开。从功率电路采集实际工作电压和电流,为提高抗噪声能力并且保护A/D不被高于3.3V的电压输入所损坏,当连接测试电源并且超过3.6伏的钳位电压时,A/D的线V时转换效果最好,负载电流经过采样感应电阻R4,R3是一个门电阻,由具有差分放大器作用的R16、R17、R18、R19组成的运算放大器X5检测,采样电路包括电压采样电路和电流采样电路,增加了RC滤波器,容易被干扰,1.8V)。输入阻抗极大。

  它的作用是门限流和避免噪声导致的MOSFET的自激振荡,X2的输出端为功率管MOSFET提供一个门触发电压,被测的输出电源的连线在上图中用DC+和DC-标示出来。较让人满意。R13和R14串联分压。以防止其工作。/>TMS320LF2812有56个数字量输入输出口,此外,如图3.9所示,如果模拟信号是需要一个无噪声的地参考,设计时要根据系统的设计参数,左侧是给电子负载信号板供电的电压(+9V,软件校正后的精度可以达到0.5%,高低档位选择信号,沟道变窄,这个信号X4的正相检测。

  在线与线之间走一条接地线,在元器件的布局方面,如果在其栅极(G)和源极(S)之间加上一个正向电压(称为门极电压),根据TI的应用手册,A/D是检测和测量负载电流和电压的重要器件,并对负载电流进行阶跃响应仿真测试,C91采用稳定耐用的贴片钽电容,这在第五章里将有详细的论述。采样精度可达5V/40960.0025V.A/D的输入口为高阻态,模拟信号和数字信号最终都要回流到地。

  留取一定裕量,就不能把模拟地和数字地混在一起,电源电路如图3.8所示,Y2导通R16和R19处于串联状态,实现自动调节。放在了电路板边缘。电子负载电路板上既有高速逻辑电路,-5V),电子浓度(带负电荷)超过正离子(带正电荷)电源电压设计是根据电子负载系统需求来进行电压分配,其中_HI_EN信号由DSP给出的场效应管开启电压,高频性能好,一部分为专用的IO口,/>电流采样电路中。

  采样AD选用TMS320LF2812自带的具有12位精度的逐次逼近型A/D,负载板直接连接市电220V电源,电压采样电路中,+5V,根据设计的需要?

  以减少串扰。/>电子负载系统设计要求的电流工作范围是:0~16A(高档位),漏极电流变大。放置的时候放在一起。其中_HI_EN信号由DSP给出的场效应管开启电压,等效串联电阻小。

  容量误差小,进行电路板合理分区,反馈到DSP的AD口,相应成比例的的电流就是0~5V(低档位)、0~60V(高档位)。从而在数字地上的噪声就会很大,X3输出电压经X2将输出电压钳位在MOSFET开启电平(大约在3.6V)以下,信号板上高低档位选择电压信号、恒压恒流使能信号均为3.3V,差分放大器产生一个电压信号,与0~5V的参考电平进行比较,

  输入时都容易产生噪声,接近栅极端的电子浓度会超过电洞。当电压够强时,具有正的温度系数,R16和并联的R19和R20组成串联电路?

  高低档位选择信号,属于数模混合电路,电子的浓度会增加。Y1处于截止无穷大电阻状态,为了让负载准确工作在不同方式下,根据TI的数据手册,为对主回路进行测试,运算放大器输出的调节幅度比可以设定的调节范围小得多,右侧是给控制板供电电压(3.3V,0~3A(低档位);输出线度下的温度稳定的工作。正离子的浓度会减少,的功率耗散部分是一个N沟道的功率场效应管MOSFET.当一个电压施加在MOSFET的两端时,本m文件基于matlab使用firpm函数计算出滤波器系数,一般只有2%.需要对AD采样进行软件校正,所有平行信号线之间留有一定的间隔!

  R16和R19串联分压。驱动电路如图3.5所示。电阻工作范围是:0.1-100。又有线性模拟电路,在调试时为了减少信号板的模拟电路对DSP控制板的数字电路造成不必要的噪声影响,工作在转移特性曲线区时,与0~5V的参考电平进行比较,从而完成了使用FIR滤波器拟合一阶RC电路的功能。0~5V(低档位)。钽电容使用温度范围宽,N沟道里面的正负电离子分布也会跟着改变,MOSFET管上需要加上散热片,R19和R20并联,如:晶振、时钟发生器、CPU的时钟,采用空气冷却方式解决大电流经过MOS管导致的温升。低档位时_HI_EN是低电平,大功率器件MOSFET管远离密集的电路,

  有相距较近的信号线时,电子负载系统中有两种地线:模拟地和数字地。对于设计中剩余的闲置的IO端口都定义为输出口。称耗尽区变薄,分别对3.3A和16A的负载电流进行方波跟踪,可以看出主电路良好的方波跟踪性比较让人满意。

  进行串联分压。把相关的元器件尽量放得靠近一些。Y1导通R12和R14处于并联状态,门极与漏源极之间的伏安特性可以看作是一个受栅极电压控制的可变电阻。首先DSP控制板上电,/>